TFT有源矩阵液晶显示是可以实现活动视频图象显示的液晶显示，但是，在非晶硅薄膜上制作的有源矩阵TFT由于其电子迁移率低，而不得不将器件面积作得稍大，因此在很小的像素面积上占据了不少比例，使像素的开口率（有效像素面积/全部像素面积）仅70%左右。
严重影响了背光源的有效利用，而无源液晶显示虽然不能显示视频图象，但是其开口率高（不计像素间隔，可达100%），在开口率方面的相互竞争，导致人们开发了开口率达80%以上的多晶硅TFT有源矩阵，即P-TFT-LCD。多晶硅的电子迁移率比非晶硅的 电子迁移率高一个数量级，因此器件可以作小一些，开口率自然高。而且，由于电子迁移率提高了一个数量级，完全可以将速度不是很高的行列驱动器也作在液晶显示器基板的多晶硅层上。
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